辐射近场测量的基本理论虽然已经成熟，且在实用中也取得了较多的研究成果，但对以下问题还应进行进一步的探讨研究：在前述的理论中，所有的理论公式都是在忽略多次散射耦合条件下而得出的，这些公式对常规天线的测量有一定的精度，但对低副瓣或很低副瓣天线测量就必需考虑这些因素，深圳仪器仪表近场辐射，深圳仪器仪表近场辐射，因此，需要建立严格的耦合方程。球面辐射近场测量能够计算除球心以外天线任意面上任意点的辐射场，但测量及计算时间都较长，深圳仪器仪表近场辐射。柱面辐射近场测量能够计算天线全部面的辐射方向图，但在θ=-90°或90°时，柱面波展开式中汉克尔函数已无意义，所以，柱面辐射近场测量适用于天线方向图为扇形波束天线的测量。天线旁边的磁场呈球形或弧形，特别是距离天线近的磁场。深圳仪器仪表近场辐射

天线口径场分布诊断是通过测量天线近区场的分布逆推出天线口径场分布，从而判断出口径场畸变处所对应的辐射单元，这就是天线口径分布诊断的基本原理。该方法对具有一维圆对称天线口径分布的分析是可靠的，尤其对相控阵天线的分析与测量已有了充分的可信度。天线方向图副瓣电平在-28～-35dB之间的天线称为低副瓣天线；副瓣电平小于-40dB的天线称为很低副瓣天线。对它们的测量要用到“零探头”技术，据文献报导，副瓣电平在-40dB以上时，测量精度为±3dB，副瓣电平为-55dB时，测量精度为±5dB。深圳汽车电子近场辐射仪器在衍射光学中，近场定义如下：当入射光波是平面波，经过透镜会聚后。

电磁波辐射基础知识：电磁辐射常见的产生方式是导体中电流的突变或者电压的骤升，辐射的路径通过PCB走线，器件的引脚，连接器或者是其它的金属介质，包括机箱，机架或者是产品的外壳。这个电磁辐射实际上是指电场和磁场的相互作用，相互影响。它被这样描述：正交时变的电场和磁场的传播。尽管电场和磁场是由同一现象产生的，但是他们对环境的影响是完全不同的。磁场只由移动的电荷（即电流）产生。在大多数电路中，电流通过PCB走线、器件引脚进行传导。因此，磁场在走线中产生的电磁场中倾向占主要地位，从而传导信号和能量到电路中不同的部分。

测量方法的优点是通过一次测量可获得较多的信息量，利用这些信息可计算出金属导体目标散射的平面和空间的散射方向图以及它的散射极化特性；也可计算出该导体目标RCS的一定值，但在实际测量系统中，发射探头（提供照射源的探头）和接收探头是安装在同一个道轨上，因此，按照散射近场平面波扫描理论，发射探头扫描在一个位置时，接收探头需要在一维方向做一次扫描；发射探头扫描在另一个位置时，接收探头仍要在一维方向做一次扫描，发射探头位置不断向一个方向扫描，接收探头的扫描范围就会越来越小，因此，有一半的测量数据是得不到的，解决这一问题的方法是利用互易定理。近区场的电磁场强度随距离的变化比较快，在此空间内的不均匀度较大。

近场和远场的边界、运行频段的波长如。天线应位于正弦波左侧起始的位置。辐射区内，电磁场开始辐射，标志着远场的开始。场的强度和天线的距离成反比(1/r3)。的过渡区是指近场和远场之间的部分(有些模型没有定义过渡区)。远场开始于距离为2λ的地方。辐射出的正弦波和近场、远场。近场通常分为两个区域，反应区和辐射区。在反应区里，电场和磁场是很强的，并且可以单独测量。根据天线的种类，某一种场会成为主导。例如环形天线主要是磁场，环形天线就如同变压器的初级，因为它产生的磁场很大。近场和远场的边界、运行频段的波长如。深圳仪器仪表近场辐射

近区场通常具有如下特点：近区场内，电场强度与磁场强度的大小没有确定的比例关系。深圳仪器仪表近场辐射

从90年代末至今，近场微波成像已经引起了学者们的浓厚兴趣，但由于常规目标散射近场的复杂性，致使近场微波成像远远滞后于远场成像。近场微波成像中，着眼于潜在的应用，目标函数既可以是理想导体目标的轮廓函数，也可以是目标介电常数的分布函数。从照射天线与成像目标的相对运动方式来看，近场微波成像有两种模式：即直线扫描模式和转台模式，研究方法可分为电磁逆散射法和球背向投影法（SphericalBackProjection，简写为SBP）。其中电磁逆散射法散射机理清晰，但数学公式复杂且有很大的局限性，因而，实际中使用较少；而球背向投影法在实际中使用较多。利用球背向投影法在直线扫描模式和转台模式情况下的目标函数解析公式已经给出。深圳仪器仪表近场辐射

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