需要满足:r20+r30=r0,x20+x30=x0,在zin和z30已知的情况下,可以计算得到r20和x20,进一步的,在第二电阻和开关的参数已知的情况下,可以计算得到电感的参数值。因为加入输入匹配电路后的等效阻抗z20+z30与输入阻抗zin能实现较好的匹配,因此,输入端的回波损耗可满足要求。其中,因为电感集成于硅基芯片上,所以,电感的品质因数一般不大于5。因为电感的品质因数小,因此在非负增益模式下,可控衰减电路的频选特性不明显,频率响应带宽较宽。在负增益模式下,回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。在一个可能的示例中,驱动放大电路102包括:第二电容c2,广州X波段射频功率放大器、第二mos管t2和第三mos管t3,广州X波段射频功率放大器,其中:第二mos管的栅级与第三电阻的第二端连接,第二mos管的漏级与第三mos管的源级连接,第二mos管的源级接地,第二电容的端连接第三mos管的栅级,第二电容的第二端接地。其中,第二mos管t2和第三mos管t3的器件尺寸一样。在一个可能的示例中,广州X波段射频功率放大器,反馈电路103包括:第三电容c3、第四电容c4、第五电容c5、第六电容c6、第四电阻r4、第五电阻r5和开关k1,其中:第四电容的端和第六电容的端连接第三mos管的漏级,第四电容的第二端连接第四电阻的端,第四电阻的第二段连接第三电容的端。对整个放大器进行特性分析如果特性不满足预定要求,具 体电路则用多级阻抗变换,短截线等微带线电路来实现。广州X波段射频功率放大器
图10为本发明实施例提供的可控衰减电路和输入匹配电路的示意图。具体实施方式对于窄带物联网(narrowbandinternetofthings,nb-iot)的终端(userequipment,ue)来说,射频前端系统中的射频功率放大器电路一般要求发射功率可调,当射频功率放大器电路之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。例如,在窄带物联网通信对象之间距离近(nb-iot的终端距离基站很近)的情况下会出现负增益的需求。在应用中,一方面在射频功率放大器的电路设计中,可以降低功率增益,在不过度影响原有电路匹配的前提下,通过增强驱动级晶体管的负反馈;另一方面,可以在输入匹配电路中插入可控衰减电路的设计,这样对功率放大器的性能影响较小,降低增益的效果明显。下面介绍一种射频功率放大器电路,是在高增益模式的电路基础上,一般通过增强驱动级的负反馈来降低增益。图1a为相关技术中射频功率放大器电路的组成结构示意图,图1b为图1a的电路结构示意图,参见图1a和图1b,方案。坪山区1-3G射频功率放大器射频功率放大器一般都采用选频网络作为负载回路。
能够快速设置各个射频功率放大器。本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法,包括:预设射频功率放大器的配置状态电阻值;计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值;比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值;所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等,开启所述射频功率放大器;所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等,所述射频功率放大器配置完成。可选的,在本申请的一些实施例中,所述预设射频功率放大器的配置状态电阻值,包括:所述配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值;所述射频功率放大器设置匹配电阻;所述关闭状态的电阻值为所述射频功率放大器的电阻值;所述开启状态的电阻值为所述匹配电阻的电阻值。可选的,在本申请的一些实施例中,所述计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值,包括:rj=vgpio*r0/(vdd-vgpio);其中,rj为射频功率放大器检测模块的电阻值,vgpio为处理器引脚的电压值,vdd为电源电压,r0为计算电阻的电阻值。可选的,在本申请的一些实施例中,所述匹配电阻包括:不同的射频功率放大器设置不同的匹配电阻。
微控制器控制第五一开关导通、第五二开关关断,此时可实现低增益;微控制器控制第五一开关和第五二开关均导通,此时反馈电路的等效电阻小,可实现负增益。在一些实施例中,当射频放大器电路的高增益为30db左右,低增益为15db左右,负增益为-10db左右时,可设置第五三电阻的阻值为5kω,第五一电阻的电阻为1kω,第五二电阻的电阻为100ω。需要说明的是,本实施例对反馈电路的具体形式不做限定。可见,通过控制反馈电路中第二开关的通断,可以改变射频功率放大器电路的增益大小,实现增益的大范围调节。在一个可能的示例中,级间匹配电路104包括:第三电感l3、第七电容c7和第八电容c8,其中:第三电感的端连接第三mos管的漏级,第三电感的第二端连接第二电压信号和第七电容的一端,第七电容的端连接第二电压信号,第七电容的第二端接地,第八电容的端连接第三mos管的漏级。其中,第二电压信号为vcc。在本申请实施例中,考虑到级间匹配电路的复杂性,将级间匹配电路简化为用第三电感、第七电容和第八电容表示。在一个可能的示例率放大电路105包括:第四mos管t4、第五mos管t5和第九电容c9,其中:第四mos管的栅级与第八电容的第二端连接。输入/输出驻波表示放大器输入端阻抗和输出端阻抗与系统要求阻抗(50Q)的 匹配程度。
抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。对于既定功率水平,GaN具有体积小的优势。有了更小的器件,则可以减小器件电容,从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。氮化镓基MIMO天线功耗可降低40%。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案,左侧展示的是锗化硅基MIMO天线,它有1024个元件,裸片面积是4096平方毫米,辐射功率是65dbm,与之形成鲜明对比的,是右侧氮化镓基MIMO天线,尽管价格较高,但功耗降低了40%,裸片面积减少94%。GaN适用于大规模MIMO。GaN芯片每年在功率密度和封装方面都会取得飞跃,能比较好的适用于大规模MIMO技术。当前的基站技术涉及具有多达8个天线的MIMO配置,以通过简单的波束形成算法来控制信号,但是大规模MIMO可能需要利用数百个天线来实现5G所需要的数据速率和频谱效率。大规模MIMO中使用的耗电量大的有源电子扫描阵列(AESA),需要单独的PA来驱动每个天线元件,这将带来的尺寸、重量、功率密度和成本(SWaP-C)挑战。这将始终涉及能够满足64个元件和超出MIMO阵列的功率、线性、热管理和尺寸要求,且在每个发射/接收(T/R)模块上偏差小的射频PA。MIMOPA年复合增长率将达到135%。预计2022年。微波功率放大器在大功率下工作要合理设计功放结构加装散热器以 提高功放管热量辐散效率保证放大器稳定工作。福田区U段射频功率放大器
稳定性是指放大器在环境(如温度、信号频率、源及负载等)变化比较大的情况 下依1日保持正常工作特性的能力。广州X波段射频功率放大器
显示单元404可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及终端的各种图形用户接口,这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元404可包括显示面板,可选的,可以采用液晶显示器(lcd,liquidcrystaldisplay)、有机发光二极管(oled,organiclight-emittingdiode)等形式来配置显示面板。进一步的,触敏表面可覆盖显示面板,当触敏表面检测到在其上或附近的触摸操作后,传送给处理器408以确定触摸事件的类型,随后处理器408根据触摸事件的类型在显示面板上提供相应的视觉输出。虽然在图4中,触敏表面与显示面板是作为两个的部件来实现输入和输入功能,但是在某些实施例中,可以将触敏表面与显示面板集成而实现输入和输出功能。移动终端还可包括至少一种传感器405,比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地,光传感器可包括环境光传感器及接近传感器,其中,环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板的亮度,接近传感器可在终端移动到耳边时,关闭显示面板和/或背光。作为运动传感器的一种,重力加速度传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小,静止时可检测出重力的大小及方向,可用于识别手机姿态的应用。广州X波段射频功率放大器
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