RF)微波和毫米波应用，设计和开发高性能集成电路、模块和子系统。这些应用包括蜂窝、光纤和卫星通信，以及医学及科学成像、工业仪表、航空航天和防务电子。凭借近30年的经验和创新实践，Hittite在模拟、数字和混合信号半导体技术领域有着深厚的积淀，从器件级到完整子系统的设计和装配，覆盖面十分，上海高科技射频功率放大器系列。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收购合并。但笔者还是更喜欢Hittite作为射频微波器件的名称，上海高科技射频功率放大器系列，所以暂不更改称呼^_^。笔者本人并没用用过Hittite的WiFiPA，倒是用过其他频段GainBlock和PA，查找其官方网站，似乎也只有一款PA适用于WiFi行业，HMC408，其性能如下。MicrochipMicrochip（2010年收购了SST）是全球的单片机和模拟半导体供应商，上海高科技射频功率放大器系列，为全球数以千计的消费类产品提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的产品上市时间。Mircrochip的WiFiPA常见于Mediatek（Ralink）的参考设计。射频功率放大器包括A类、AB类、B类和c类等，开关放大 器包括D类、E类和F类等。上海高科技射频功率放大器系列

    vgs是指栅源电压，vth是指阈值电压。开关关断的寄生电容：coff＝fom/ron。其中fom为半导体工艺商提供的开关ron与coff乘积，单位为fs(飞秒)。另，w/l较大，发生esd时有利于能提供直接的低阻抗电流泄放通道。用两个sw叠加，相对单sw，能在esd大电流下保护sw的mos管不被损坏。当可控衰减电路的sw使用了叠管设计，两个开关sw1和sw2的控制逻辑是一样的：(1)非负增益模式下，sw1和sw2同时关断；(2)负增益模式下，sw1和sw2同时打开。本申请实施例中的sw1和sw2在应用中可以采用绝缘体上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以是bulkcmos管(平面结构mos管)。下面提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构，如图5a所示，图5a中l2、c1和r2构成驱动放大级电路之前的输入匹配电路，可以将输入端口的阻抗匹配到适合射频功率放大器电路的输入阻抗位置，这是由于驱动放大级电路需要某种特定阻抗范围，输出功率才能实现所需的效率，增益等性能。可控衰减电路的并联到地支路的sw1和r1，在它们之前的电感l1用于对并联到地支路的寄生电容的匹配补偿。在高增益模式下，这种射频功率放大器电路输入的匹配结构简洁，输入端口匹配良好，因此输入端的回波损耗好。河南射频功率放大器供应商宽带放大器是指上限工作频率与下限工作频率之比甚大于1的放大电路。

    本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。附图说明图1是本发明实施例中的一种射频功率放大器的电路结构图；图2是本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图；图3是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图；图4是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图；图5是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图；图6是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图；图7是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。具体实施方式如上所述，现有技术中，采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa，只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单，缺点是难以实现宽带功率放大器。

    gate)电压偏置电路由内部电压源vg、r8、r9和c13按照图7所示连接而成。r8、r9和c13组成的t型网络，起到隔离t3栅极较弱射频电压摆幅的作用。在实际模拟电路中设计电压源，可将vg电压分成多个档位，通过数字寄存器(属于微控制器)控制切换vg档位，达到t3栅极电压切换的效果。其中，t4和t5组成的叠管结构，与t2和t3组成的叠管结构，是一样的。t2和t3和器件尺寸一样，t4和t5和器件尺寸一样。t2(t3)：t4(t5)的器件尺寸之比是2:5的关系。比如：t2和t3的mos管的沟道宽度为2mm左右，t4和t5的mos管的沟道宽度为5mm。则在非负增益模式下：vcc＝，t2的偏置电流ib＝12ma左右，t4的偏置电流ib＝45ma左右，t3管和t5管的vg＝。在负增益模式下：vcc＝，t2的偏置电流ib＝2ma左右；t4的偏置电流ib＝6ma左右；t3管和t5管的vg＝。在本申请文件实施例提供的射频功率放大器电路中，为了说明输入匹配的可控衰减电路设计，对级间匹配电路进行了简化处理，实际的级间匹配电路是一个较为复杂的lccl网络。级间匹配电路中的c7的电容数值较大，c7使r6在射频频率上并联接地。需要注意的是，在本申请实施例中，匹配这个概念针对的是射频信号，c7表示射频的短路，可在射频等效电路中省去。此外。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的。

    微处理器通过控制vgg＝，使得开关导通，可控衰减电路处于衰减状态，此时，一部分射频传导功率进入可控衰减电路变成热能消耗掉，另一部分射频传导功率进入可控衰减电路之后的电路，输入信号衰减，射频功率放大器电路实现非负增益模式。当开关关断时，电感用于匹配寄生电容，以减少对后级电路的影响，开关可等效为寄生电容coff，不需要考虑电阻，可控衰减电路等效为图8(a)；当开关导通时，开关等效为寄生电阻ron，也不需要考虑电阻，可控衰减电路等效为图8(b)，因为第二电阻和寄生电阻ron都很小，因此流入可控衰减电路的电流较大，该电路路消耗的功率较多，对输入信号的衰减作用也较强。其中，为了实现大程度的衰减，在非负增益模式下，应使可控衰减电路的电阻尽可能的小，可在可控衰减电路去掉第二电阻r2，通过寄生电阻ron来衰减输入信号。若可控衰减电路中没有第二电阻，当射频功率放大器电路的负增益大小确定时，开关的寄生电阻的大小也可确定。当开关导通时，开关工作在线性区，寄生电阻ron的大小满足公式：ron＝1/(μ×cox×(w/l)×(vgs-vth))，其中，μ是电子迁移率，cox是单位面积的栅氧化层电容，w/l是开关t1的有效沟道长度的宽长比，vgs是栅源电压，vth是阈值电压。放大器能把输入信号的电压或功率放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。湖北U段射频功率放大器定制

在通信和雷达系统率放大器是极其重要的组成部分主要参数有最大输出功率、效率、线性度和增益等。上海高科技射频功率放大器系列

将导致更复杂的天线调谐器和多路复用器。RF系统级封装（SiP）市场可分为一级和二级SiP封装：各种RF器件的一级封装，如芯片/晶圆级滤波器、开关和放大器（包括RDL、RSV和/或凸点步骤）；在表面贴装（SMT）阶段进行的二级SiP封装，其中各种器件与无源器件一起组装在SiP基板上。2018年，射频前端模组SiP市场（包括一级和二级封装）总规模为33亿美元，预计2018~2023年期间的复合年均增长率（CAGR）将达到，市场规模到2023年将增长至53亿美元。预测2023年，PAMiDSiP组装预计将占RFSiP市场总营收的39%。2018年，晶圆级封装大约占RFSiP组装市场总量的9%。移动领域各种射频前端模组的SiP市场，包括：PAMiD（带集成双工器的功率放大器模块）、PAM（功率放大器模块）、RxDM（接收分集模块）、ASM（开关复用器、天线开关模块）、天线耦合器（多路复用器）、LMM（低噪声放大器-多路复用器模块）、MMMBPa（多模、多频带功率放大器）和毫米波前端模组。MEMS预测，到2023年，用于蜂窝和连接的射频前端SiP市场将分别占SiP市场总量的82%和18%。按蜂窝通信标准，支持5G（sub-6GHz和毫米波）的前端模组将占到2023年RFSiP市场总量的28%。智能手机将贡献射频前端模组SiP组装市场的43%。上海高科技射频功率放大器系列

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