在单个MOS管器件中有，在集成电路光刻中没有，这个二极管在大电流驱动中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用，一般正向导通压降在左右。因为这个二极管的存在，MOS器件在电路中不能简单地看到一个开关的作用，比如充电电路中，充电完成，移除电源后，电池会反向向外部供电，这个通常是我们不愿意看到的结果。一般解决的方法是在后面增加一个二极管来防止反向供电，这样虽然可以做到，但是二极管的特性决定必须有的正向压降，在大电流的情况下发热严重，同时造成能源的浪费，使整机能效低下。还有一个方法是再增加一个背靠背的MOS管，利用MOS管低导通电阻来达到节能的目的，这一特性另一个常见的应用为低压同步整流。注意事项MOS管导通后的无方向性，MOS在加压导通后，就类似于一根导线，只具有电阻特性，无导通压降，通常饱和导通电阻为几到几十毫欧，且无方向性，允许直流和交流电通过。使用MOS管的注意事项1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，大漏源电压、大栅源电压和大电流等参数的极限值。2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性。如结型MOS管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压。

    1.是用N沟道还是P沟道。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或者器件所能承受的大电压。额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的大电压，即大VDS。知道MOS管能承受的大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。2.确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的大电流。

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