在衬底上制作v字型凹槽或弧形凹槽或者开口倒梯形凹槽或者前述组合，并沿v字型凹槽中间或开口倒梯形凹槽中间或者前述组合中间垂直劈裂，形成端面。可选地，所述v字型凹槽或弧形凹槽或者开口倒梯形凹槽或者前述组合的槽体长度方向与所述脊状条的长度方向垂直。本发明实施方式提供的上述技术方案，无锡销售蓝光激光二极管多少钱，不能够更简易的制作出ld的dbr陪条；而且能够有效解决传统直角腔面由于的dbr覆盖不好、应力大易断裂、侧镀的dbr又会影响到ld的共晶所导致的ld电性不良的技术问题；此外传统方案在大电流测试中，靠近端面的接触层电阻高，电流扩展差，而本发明刻蚀掉端面的部分接触层，有效的降低了接触面附近的电流密度，无锡销售蓝光激光二极管多少钱，改善了ld的抗光学灾变损伤能力。附图说明图1显示为本发明所述的激光二极管的结构图；图2显示为本发明所述的单边楔形的激光二极管的结构示意图；图3显示为本发明所述的双边楔形的激光二极管的结构示意图；图4显示为本发明所述的激光二极管的制作方法的流程示意图；图5显示为本发明所述的v型槽与脊状条的位置关系示意图；图6显示为本发明所述的部分斜角的双边楔形的激光二极管的结构示意图，无锡销售蓝光激光二极管多少钱。元件标号说明具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式。光纤笔激光二极管，无锡斯博睿科技有限公司供应。无锡销售蓝光激光二极管多少钱

    本发明涉及半导体发光二极管领域，尤其涉及一种激光二极管及其制作方法。背景技术：gan基的发光二极管和激光二极管已经取得了研究和市场应用；特别是在激光显示和激光投影，例如gan蓝色和绿色激光二极管(英文为laserdiode,简称ld)，激光二极管的结构主要是边发射脊波导结构。激光二极管采用边发射脊波导结构，需要在bar两端镀上分布式布拉格反射镜(distributedbraggreflection，dbr)制作法布里-珀罗(f-p)腔形成共振；常规腔面都是直角形状造成边角的dbr覆盖不好，应力大易破裂，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶，从而影响电性。技术实现要素：鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的至少在于提供一种激光二极管及其制作方法，旨在解决垂直腔面造成边角的dbr覆盖不好，侧镀的dbr又会影响到ld的共晶，从而导致的ld电性不良。为实现上述目的及其他相关目的，本发明的一个实施方式提供一种激光二极管，包括：衬底，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：n型层，活性层，表面具有脊状条的p型层以及dbr覆盖层；所述脊状条的端面为斜面，所述脊状条与所述dbr覆盖层的接触面包括斜面。可选地，所述斜面与脊状条的下表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。可选地。无锡提供红光激光二极管参考价505nm激光二极管，无锡斯博睿科技有限公司-激光二极管专业供应商。

    所述衬底的端面为第二斜面，所述衬底与所述dbr覆盖层的接触面包括第二斜面。可选地，所述第二斜面与所述衬底的上表面的法向方向之间的夹角介于：大于0度且小于等于60度。可选地，所述斜面位于所述p型层上。可选地，所述n型层包括n型金属层。可选地，所述p型层包括p型金属层。可选地，所述p型层还包括上波导层。为实现上述目的及其他相关目的，本发明的一个实施方式一种激光二极管的制作方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上依次外延生长n型层、活性层和p型层，并制作带有脊状条的p型层；沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂，得到脊状条的端面为斜面；进行dbr覆盖层生长，所述dbr覆盖层与所述脊状条的接触面包括所述斜面。可选地，在得到所述斜面的步骤之后还包括：沿垂直于脊状条长度的方向对所述衬底进行劈裂，得到所述衬底的端面为第二斜面；所述衬底与dbr覆盖层的接触面包括所述第二斜面。可选地，所述沿垂直于脊状条长度的方向对所述脊状条进行劈裂的步骤包括：在脊状条上制作v字型凹槽或者开口倒梯形凹槽或者前述组合，并沿v字型凹槽中间或开口倒梯形凹槽中间或者前述组合中间垂直劈裂，形成端面。

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段内，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟，国际上*少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构，有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅，采用一些特殊的设计，如：波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构，提高器件性能。生产技术中，金属有机化学汽相淀积MOCVD和光栅的刻蚀是其关键工艺。MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度，生长效率高，适合大批量制作，反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性，电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备，对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。无锡找激光二极管厂家哪家好，选择无锡斯博睿科技有限公司。

    激光二极管驱动电路图（一）驱动电路图1（左）电路的基准电压不用常见的电阻分压电路．而是利用晶体管Tr1的Vbe作基准电压，Vbe约为，即（Im-Ib）&TImes;Vr1=，不过Ib很小可以忽略。Vbe具有2mV／℃的温度特性，故基准电压将随温度变动，即使这样，其温度特性也远比恒流驱动好。整个电路只用了两只晶体三极管，Vr1用于输出调整兼负荷电阻，是相当简单的APC电路。激光二极管驱动电路图（二）驱动电路如上图2（右）这是一款为提高可靠性而设计的电路．共用了5只晶体三极管。主要特点如下：取消了调整输出的半可变电阻。如果Tr5的B-E之间出现短路的话，流过电阻R2的电流几乎就都成为Tr1和Tr2的基极电流，这将使输出增大：不过这时流过Tr2的基极电流Ib将使680Ib+Vbe》2Vbe，结果Tr4导通，旁路部分电流到地，使输出功率受到一定限制。若Tr1、Tr2的任一个出现C-E间短路．则由于另一个晶体管的存在．不会出现过电流的情况。除5个晶体管外．其余元件的短路更不会引起输出增大。电路中R1是基极电阻，兼作电流取样电阻；R5为负荷电阻。激光二极管驱动电路图（三）自动功率控制电路是依靠激光器内部的PIN管来检测LD的输出光功率作为反馈的，电路图如图。无锡激光二极管哪家好，推荐选择无锡斯博睿。无锡销售绿光激光二极管多少钱

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    熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。须知，本说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，均用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“正面”、“背面”、“中间”及“一”等的用语，亦为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。如图1-2所示，本发明的一个实施例提供一种激光二极管，包括：衬底3，以及位于衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括：n型层4，多重量子阱(英文multi-quantumwell,简称mqw)活性层5，表面具有脊状条2的p型层6以及dbr覆盖层8；所述脊状条的端面为斜面7，所述脊状条与所述dbr覆盖层的接触面包括斜面7。如图5所示，所述端面是所述脊状条沿长度(l1)方向上的两端的端面，斜面与脊状条2的宽边w1平行或所述脊状条的宽边位于所述斜面上。无锡销售蓝光激光二极管多少钱

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