光耦隔离电路还连接死区电路、互锁电路和保护电路，驱动电路还分别连接光耦隔离电路和igbt模块，vce-sat检测电路检测到igbt模块发生短路故障或过流故障时，通过光耦隔离电路传递故障信号给原边电路，原边电路同时***igbt模块上下管驱动信号，并通过光耦隔离电路和驱动电路关断igbt模块。实施例2：在实施例1的基础上，本实用新型的一种实施例电路如图2所示，其中，15v电源输入滤波电路由l1和c1构成的滤波器，其作用主要是：对输入15v电源进行滤波，并且降低开关噪声和电磁干扰。dc/dc电路由q1,q2,t1构成推挽电路，并且q1和q2由晶体管构成，t1为高频隔离变压器，其副边有两个**的绕组，输出两路隔离电源：其中上管隔离电源包括:d7与c4构成二极管整流电路，输出-15v_sh电源；d8与c5构成二极管整流电路，输出+15v_sh电源；其中下管隔离电源包括:d9与c6构成二极管整流电路，输出-15v_sl电源；d11与c7构成二极管整流电路，输出+15v_sl电源；上管死区电路和互锁电路由v1,v2,r2,c2,d2组成，下管死区电路和互锁电路由v3,v4,r3,c3,d3组成，保护电路包括d5,v5,d6,v6构成。pwm_h信号为上管输入信号，pwm_l信号为下管输入信号；当pwm_l信号为高电平时，c2通过d2快速放电。

    即检测输入端或直流端的总电流，当此电流超过设定值后比较器翻转，***所有IGBT输入驱动脉冲，使输出电流降为零。这种过载过流保护，一旦动作后,要通过复位才能恢复正常工作。IGBT能够承受很短时间的短路电流，能够承受短路电流的时间与该IGBT的饱和导通压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的IGBT允许的短路时间小于5μS，而饱和压降为3V的IGBT的允许短路时间可达15μS，4～5V时可达到30μS以上。存在以上的关系是由于随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方增大，造成承受短路时间迅速减小。通常采取的保护措施有软关断和降栅压两种。软关断是指在过流和短路时，直接关断IGBT。但是，软关断抗干扰能力差，一旦检测到过流信号就关断，很容易发生误动作。为增加保护电路的抗干扰能力，可在故障信号和保护动作之间加一延时，不过故障电流会在这个延时时间内急剧上升，**增加了故障损耗，同时还会导致器件的di/dt过大。所以往往是保护电路启动了，器件依然损坏了。降栅压旨在检测到器件过流时，马上降低栅压，但器件仍维持导通。降栅压后，设有固定延时，故障电流在这一段时间内被限制在一个较小的值。

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