晶闸管模块的散热方法

晶闸管模块的功耗主要由导通损耗、开关损耗和栅极损耗组成。在工频或400Hz以下的更多应用是传导损耗。为了保证器件的长期可靠运行，散热器及其冷却方式的选择与功率半导体模块设计中电流、电压额定值的选择同等重要，不容忽视！散热器常用的散热方法有：自然空冷、强制空冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热的一般原则是，控制模块中管芯的连接温度Tj不超过产品数据表中给出的额定连接温度。

选择晶闸管模块散热器必须考虑的元素：

1、晶闸管模块的工作电流决定了所需的冷却面积。

2、晶闸管模块的使用环境。根据使用环境冷却条件来确定何种冷却方式，包括自然冷却、强制风冷和水冷。

3、设备的形状和体积，为散热预留空间的大小，根据这种情况来确定散热器的形状。 正高电气材料竭诚为您服务，期待与您的合作！工业电炉可控硅集成调压模块厂家

    电力半导体器件有：全系列功率模块(MTC、MFC、MDC、MDQ、MDS)，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，软恢复快速整流管(FRD)，旋转整流管(ZX)，大功率组合整流元件，普通晶闸管(KP)，快速晶闸管(KK)，双向晶闸管(KS)，逆导晶闸管(KN)，可关断晶闸管(GTO)，电力晶体管(GTR)发电机旋转励磁整流组件，各种功率单元。这些元件广泛应用于电化学电源，充电电源，电机调速，感应加热及热处理等各种整流、逆变和变频领域。我公司所生产的电力电子器件成功的替代了多种进口器件，实现了自动轧机原器件的国产化；6K、6G、8K、8G电力机车原器件也全部由我公司国产化，使用寿命超过了进口元件。在自动控制方面，我公司成功开发出各种工控板，应用在各种不同的场合，真正形成了控制方式灵活，保护齐全，可靠性高的优势。与模块结合开发了智能模块。广泛应用于不同行业各种领。在散热器方面公司成功开发了，通过努力已进入了国内的输变电行业、机车行业所需的**市场。我公司秉承快速反应、持续改进的工作作风，融入世界的发展战略，致力于提高品牌**度的发展目标，建成国际前列、国内**的功率半导体制造基地。武汉单相交流调压模块哪家好正高电气永远是您身边的行业**！

    VDRM）的计算：由公式：Ud=考虑两倍的选择余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此选择耐压200V-300V的器件足够。2、器件额定电流IT（AV）的计算：由于该线路相当于两组三相半波整流电路的串联,根据公式：Ie=:Ie=(此值为交流有效值)折算为平均值IT（AV）=Ie/考虑选型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A显然,目前没有如此大电流的模块,应建议客户采用400-500A的平板式可控硅为宜。以上两种线路对器件耐压和通流能力的要求是不一样的。后一种线路对器件耐压要求比前一种线路低一倍，但通流能力要求大两倍。四、使用模块产品注意事项：l电力半导体模块属于温度敏感性器件，使用时必须安装于散热器上。安装前首先用酒精将模块底板和散热器表面擦拭干净,待自然干燥后，在模块底板上均匀涂上（采用滚柱来回滚动涂抹）导热硅脂，导热硅脂刚好能够覆盖整个底板和散热器。安装之后可从散热器上取下模块，检查模块底板整个区域是否完全沾润。l手册中额定电流[IT(AV)、IF(AV)]是在规定散热器、强通风冷(风速6m/s)和额定壳温Tc和纯阻性负载下得出的。若使用条件发生变化(如感性负载)额定电流就会下降。l散热器与模块接触面应平整，散热器的平面度≤（1）,确保良好的热传导，电极与铜排连接时。

    1晶闸管模块被广泛应用于工业行业中，对于一些专业的电力技术人员，都知道晶闸管模块的来历及各种分类。不过现在从事这一行的人越来越多，有的采购人员对这方面还不是很了解。有的客户也经常问起我们晶闸管模块的来历。现在晶闸管厂家昆二晶就为大家分享一下：2晶闸管模块诞生后，其结构的改进和工艺的，为新器件的不断出现提供了条件。1964年，双向晶闸管在GE公司开发成功，应用于调光和马达控制；1965年，小功率光触发晶闸管出现，为其后出现的光耦合器打下了基础；60年代后期，大功率逆变晶闸管问世，成为当时逆变电路的基本元件；1974年，逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。3普通晶闸管广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频(400Hz以下)领域，运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过，这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12kV/1kA和6500V/4000A。4双向晶闸管可视为一对反并联的普通晶闸管的集成，常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通，因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长，其水平已超过2000V/500A。正高电气以质量为生命”保障产品品质。

    并通过所述第二门极压接式组件对所述第三导电片、钼片、银片、铝片施加压合作用力，所述第三导电片、钼片、银片、铝片依次设置于所述铜底板上。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，任一所述接头包括：螺栓和螺母，所述螺栓与螺母之间还设置有弹簧垫圈和平垫圈。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的导电片、第二导电片、瓷板进行固定。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述铜底板通过硅凝胶对位于其上的第三导电片、钼片、银片、铝片进行固定。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述压块和第二压块上还设置有绝缘套管。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述绝缘套管与对应的压块之间还设置有垫圈。作为本发明的立式晶闸管模块的改进，所述外壳上还设置有门极铜排安装座。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的立式晶闸管模块通过设置接头、第二接头和第三接头、封装于外壳内部的晶闸管单元和第二晶闸管单元能够实现电力系统的多路控制，有效保证了电力系统的正常运行。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地。正高电气以诚信为根本，以质量服务求生存。工业电炉可控硅集成调压模块厂家

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    红表笔接K极时，电阻呈低阻值，对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极，剩下的就是A极。2．检查触发能力如图2(a)所示，首先将表Ⅰ的黑表笔接A极，红表笔接K极，电阻为无穷大；然后用黑表笔尖也同时接触G极，加上正向触发信号，表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通；脱开G极，只要GTO维持通态，就说明被测管具有触发能力。3．检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力，如图2(b)所示，表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档，红表笔接G极，黑表笔接K极，施以负向触发信号，如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置，证明GTO具有关断能力。4．估测关断增益βoff进行到第3步时，先不接入表Ⅱ，记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1；再接上表Ⅱ强迫GTO关断，记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。根据读取电流法按下式估算关断增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数；K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/n2此式的优点是。不需要具体计算IAT、IG之值，只要读出二者所对应的表针正向偏转格数，即可迅速估测关断增益值。晶体闸流管注意事项编辑（1）在检查大功率GTO器件时，建议在R×1档外边串联一节′。工业电炉可控硅集成调压模块厂家

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