采用双电源供电，为M57962芯片搭建比较简单的外围电路后，正负驱动电压为+15V和-9V，可以使IGBT可靠通断。并且M57962内部集成了短路和过电流保护，内部保护电路监测IGBT的饱和压降来判断是否过流，当出现短路或过流时，M57962将***驱动信号实施对IGBT的关断，同时输出故障信号。如图为驱动芯片M57962的驱动效果，将输入的高电平为5V、低电平为0V的电压信号放大为高电平为15V，低电平为-9V的驱动信号。-9V的低电平确保了IGBT可靠关断。在这里，我们将高阻抗的传感元件插入到一个串联的电容耦合电路中。杭州功率分析仪电压传感器询问报价

控制电路的软件设计实则是控制方案的具体实施，其中包含了很多模块的程序编写，比如DSP的各个单元基本功能的实现、AD的控制、数据的计算处理等。在此只简述DSP对AD的控制、DSP输出PWM波移相产生的方式以及控制系统PID闭环的实施方案。对于任何一个数字控制电路来说，要实现对被控对象的实时的、带反馈的控制则必须要实时监测和采集被控对象的状态值。AD模块是被控对象状态值采集的必要环节，实现数据的准确采集就必须要实现对AD的准确控制。本试验中选用的AD的芯片是MAX125。上海大量程电压传感器报价霍尔电压传感器体积小、线性度好、响应时间短，但测试带宽窄，测量精度不高。

电力电子装置中很多元件，特别是半导体器件，对电压电流非常敏感，正确的设置保护电路对电源变换装置的安全运行至关重要。这里所讲的保护主要是针对电源变换装置里的器件，需要保护的状态主要包括过电压和过电流。具体产生过电压和过电流状态的原因有电路故障和电路工作原理所致。单臂直通保护：对于全桥变换器逆变电路本身来说，**容易出现也是危险比较大的故障便是单臂直通。因为当出现单臂直通时相当于输入侧直流电源正负极短路，直接损坏开关管。

强磁场是指磁场强度高于商用超导磁体所能达到比较高的磁场，将磁场强度超过20T的磁场定义为强磁场。按照现阶段世界上强磁场系统的建设，强磁场系统一般由磁体、电源系统、低温冷却系统、测量测试系统和实验平台构成。其中磁体是直接产生强磁场的装置，电源为整个系统的工作提供相应的能量，低温冷却系统为磁体的工作创造必要的工作环境，测量测试系统是测量、监测和采集必要的实验参数和信息，实验平台即是为科学研究工作提供相关的接口和实验环境。有两种主要类型的电压传感器: 电容式电压传感器和电阻式电压传感器。

移相全桥变换器在工作时，通过与开关管并联的谐振电容和原边谐振电感谐振，来实现开关管的软开关。主电路拓扑结构如图2-4所示。图中T1和T2为超前臂开关管，T3和T4为滞后臂开关管；C1和C2分别为T1和T2的并联谐振电容，且C1=C2=Clead；C3和C4分别为T3和T4的并联谐振电容，且C3=C4=Clag；D1~D4分别为T1~T4的反并联二极管；Lr为原边谐振电感；TM为高频变压器；DR1~DR4为输出整流二极管；Lf、L、Ca和Cb分别为输出滤波电感和滤波电容；Z为输出负载。目前的滤波装置级数低，滤波效果较差，输出端 可以采用LCCL三阶滤波器。无锡粒子加速器电压传感器询问报价

通常，在串联电路中，高阻抗的元件上会产生高电压。杭州功率分析仪电压传感器询问报价

控制板硬件电路是程序运行和数字计算的平台、是控制方案具体实施的基础。本控制电路**芯片采用TI公司的TMS320F2812DSP控制芯片，围绕F2812搭建控制电路。控制板硬件设计包括：硬件方案设计、DSP以及外围器件选型、原理图设计、PCB设计、硬件的焊接和调试等。在本控制电路中需要采集两路电流和电压信号，然后将采集到的信号进行计算处理控制开关管的通断，整个电路数据量不大，DSP内部寄存器即可满足数据处理的要求，故而不需要设计**RAM、FLASH电路。F2812内部自带有A/D模块，但由于考虑到其内部A/D模块精度不够，本电路自行设计**A/D模块。杭州功率分析仪电压传感器询问报价

免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的用户，本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。