中频电压互感器过来的中频电压信号由CON2-1和CON2-2输入后，分为两路，一路由IC1A进行电平转换后送到IC6的30P，另一路经D7-D10整流后，又分为两路，一路送到电压/电流调节器，另一路送到过电压保护。由主回路交流互感器取得的电流信号，先在外部转换成电压信号，从CON2-3、CON2-4、CON2-5输入，经二极管D11-D16整流后，再分为两路，一路作为过流保护信号，另一路作为电压/电流调节器的反馈信号。本电路逆变触发部分，采用的是扫频式零压软起动，只需取一路中频电压反馈信号，无需槽路中频电容器上的电流信号，其本质上相当于它激转自激电路，属于平均值反馈电路。由于主回路上无需附加任何起动电路，不需要预充磁或预充电的起动过程，因此，主回路得以简化，调试过程简单。起动过程大致是这样的，在逆变电路起动前，先以一个高于槽路谐振频率的它激信号去触发逆变晶闸管，当电路检测到主回路开始有直流电流时，便控制它激信号的频率从高向低扫描，同时加大主回路的直流电流，当它激信号频率下降到接近槽路谐振频率时，中频电压便建立起来，并反馈到自动调频电路。自动调频电路一旦投入工作，便停止它激信号的频率往低扫描动作，转由自动调频电路控制逆变动引前角。正高电气公司将以质量的产品，完善的服务与尊敬的用户携手并进！威海MTDC1000晶闸管智能模块品牌

    水冷装置在作此项调试时，必须通水冷却。当调试场地的电源供不出装置的额定电流时，额定电流的整定，可放在现场满负荷运行时进行。但是，应先在小电流的状况下，判定一下电流取样回路的工作是否正常。（W5）主控板上的DIP开关均拨在OFF位置，面板上的“给定”电位器逆时针旋至**小。把示波器接在Q5或Q6的管壳上，测逆变触发脉冲的它激频率（它激频率可以通过W6来调节），调节W5微调电位器，使频率表的读数与示波器测得的相一致。若中频电源用的是**中频频率表，则可免去此步调试。但还是推荐使用直流毫安表头改制的频率表，这一方面是可以测得比较高它激频率，另一方面是价格便宜。（W6）首先检查逆变晶闸管的门级线连接是否正确，逆变未级上的LED亮度是否正常，不亮则说明逆变末级的E和C接线端子接反了；再把主控板上CON3-5对外的连线解掉，看熄灭的LED逆变末级是否处在逆变桥的对角线位置。把主控板上的DIP开关均拨在OFF位置，把面板上的“给定”电位器逆时针旋到底，调节控制板上的W6微调电位器，使比较高它激频率高于槽路谐振频率的，W3、W4微调电位器旋在中间位置。把面板上的“给定”电位器顺时针稍微旋大，这时它激频率开始从高往底扫描（从频率表中可以看出）。威海MTDC1000晶闸管智能模块品牌正高电气以顾客为本，诚信服务为经营理念。

    电压很容易对晶闸管模块造成损坏，那么，我们就要了解过电压保护，保护晶闸管模块，不让其受过电压损坏。要保护晶闸管，就要知道过电压是怎么产生的？从而去避免。以下是为大家列举的详细情况：晶闸管模块对过电压很敏感，当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通，引发电路故障；当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时，晶闸管模块就会立即损坏。因此，必须研究过电压的产生原因及过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化，使得系统来不及转换，或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰，对晶闸管模块是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压例如，交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭速度越快过电压越高。

    使得VD1~VD4所组成的桥路不通，作为负载的灯泡中无电流流过，灯泡不亮。以下是一款简单的光敏电阻延时节电开关电路图，它是由三个接线端子［1］、［2］、［3］，三端低压直流电源［4］，延时电路由（W↓〔1〕、R↓〔1〕、C↓〔1〕构成），脉冲电路（由R↓〔2〕、BG↓〔1〕构成），无触点开关电路（由SCR↓〔1〕、R↓〔2〕、D↓〔1〕、SCR↓〔2〕构成。它具有电路简单、成本低、体积小、布线简单、使用方便、经久耐用、节电显着、用电设备寿命长的特点。光敏电阻光控灯电路图（三）：基于光敏电阻的亮度自动调节台灯电路图本方案介绍的自动调光台灯能根据周围环境亮度强弱自动调整台灯发光量。当环境亮度弱，它发光亮度就增大；环境亮度强，发光亮度就减暗。台灯电路及工作原理该灯电路见图1.当开关S拨向位置2时，它是一个普通调光台灯。RP、C和氖泡N组成张弛振荡器，用来产生脉冲触发可控硅VS.一般氖泡辉光导通电压为60-80V，当C充电到辉光电压时，N辉光导通，VS被触发导通。调节RP能改变C充电速率，从而能改变VS导通角，达到调光的目的。R2、R3构成分压器通过VD5也向C充电，改变R2、R3分压也能改变VS导通角，使灯的亮度发生变化。当S拨向位置1时，光敏电阻RG取代R3。正高电气用先进的生产工艺和规范的质量管理，打造优良的产品！

    以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频纺比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极比较大可关断电流IATM与门极比较大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1．判定GTO的电极将万用表拨至R×1档，测量任意两脚间的电阻，*当黑表笔接G极，红表笔接K极时，电阻呈低阻值。正高电气提供周到的解决方案，满足客户不同的服务需要。威海MTDC1000晶闸管智能模块品牌

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    [1]单结管即单结晶体管，又称为双基极二极管，是一种具有一个PN结和两个欧姆电极的负阻半导体器件。常见的有陶瓷封装和金属壳封装的单结晶体管。[2]单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”，图形符号如图所示。[3]单结晶体管的主要参数有：①分压比η，指单结晶体管发射极E至基极B1间的电压（不包括PN结管压降）在两基极间电压中所占的比例。②峰点电压UP，是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与基极B1的电压，其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③谷点电压UV，是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与基极B1间的电压，其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。[4]单结晶体管共有三个管脚，分别是：发射极E、基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。[5]单结晶体管**重要的特性是具有负阻性，其基本工作原理如图示（以N基极单结管为例）。当发射极电压UE大于峰点电压UP时，PN结处于正向偏置，单结管导通。随着发射极电流IE的增加，大量空穴从发射极注入硅晶体，导致发射极与基极间的电阻急剧减小，其间的电位也就减小，呈现出负阻特性。[6]检测单结晶体管时，万用表置于“R×1k”挡。威海MTDC1000晶闸管智能模块品牌

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