可控硅模块设备相信大家都已经熟悉并了解了，在您了解的知识中，您知道可控硅模块的导通条件是什么吗？下面正高电气来讲解一下。

可控硅模块的工作条件：

1.当可控硅模块承受反向阳极电压时，不管门级承受哪种电压，可控硅模块都会处于断开状态。

2.当可控硅模块经历正向阳极电压时，可控硅*在门级受到正向电压时接通。

3.当可控硅模块导通时，只需要有一定的正极电压，不管门极电压怎样，可控硅模块都保持导通，如果可控硅导通后，门极将失去其功能。

4..当可控硅模块导通时，主电路电压(或电流)减小到接近零时，可控硅模块关断。 淄博正高电气有限公司尊崇团结、信誉、勤奋。济南反并联可控硅模块供应商

可控硅模块散热条件的好坏直接关系到商品的运用寿数和短时过载才华，温度越低模块的输出电流越大，所以在运用中有必要装备散热器和风机，主张选用带有过热维护功用的商品，有水冷散热条件的优先挑选水冷散热。咱们经过严肃测算，断定了不一样类型的商品所大概装备的散热器类型，推荐选用厂家配套的散热器和风机，用户自备时按以下准则挑选：

1、轴流风机的风速应大于6m/s ；

2、有必要能确保模块正常作业时散热底板温度不大于80℃；

3、模块负载较轻时，可减小散热器的大小或选用天然冷却；

4、选用天然办法冷却时散热器周围的空气能结束对流并恰当增大散热器面积；

5、悉数紧固模块的螺钉有必要拧紧，压线端子联接强健，以削减次生热量的发生，模块底板和散热器之间有必要要涂敷一层导热硅脂或垫上一片底板大小的导热垫，以抵达良好散热作用。 威海高压可控硅模块报价淄博正高电气有限公司团队从用户需求出发。

可控硅鉴别三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以判断出来。

  阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

  控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。

  若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。

可控硅模块在应用电路中的作用体现在：

可控整流器：如二极管整流器，交流整流器整流为直流，在交流电压不变的情况下，可有效控制直流输出电压，实现交流/直流的转换。

无触点电源静态开关（固态开关）：晶闸管模块作为电源开关元件，可在开关频率较高的场合替代接触器和继电器。

因此，可控硅模块普遍应用于各种电子设备和电子产品中，如可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。晶闸管模块广泛应用于家用电器的工业控制领域，如调光灯、调速风扇、空调、热水器、电视、冰箱、洗衣机、照相机、音响组合、语音控制电路、定时控制器、感应灯、圣诞灯控制器、自动门电路、玩具装置等。电动工具产品、无线电遥控电路、摄像机等领域都大量的使用了可控硅模块。 淄博正高电气有限公司产品适用范围广，产品规格齐全，欢迎咨询。

可控硅模块的用途

可控硅模块具有硅整流器件的特性，相当于或类似于可控制的单向（或双向）二极管，利用其可控功能，实现了弱电流对强电的控制。此外，晶闸管具有体积小、结构简单、功能强、重量轻、效率高、控制灵活等优点。晶闸管可用于下列过程：

1、可控整流：将交流电转换成可调直流电；

2、逆变器：将直流电转换成交流电；

3、变频：将一个频率的交流电转换为另一个频率的交流电或可调频率的交流电；

4、交流调压：将固定交流电压转换为有效值可调的交流电压；

5、斩波：将固定直流电压转换为平均可调直流电压；

6、无触点通断：用无触点开关代替交流接触器实现开关控制。 淄博正高电气有限公司始终以适应和促进发展为宗旨。济南反并联可控硅模块供应商

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双向可控硅晶闸管使用中，应特别注意以下事项：

1.灵敏度

双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两极为阴阳极，而是称作T1和T2极，G为控制极，其控制极上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制极导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门极电流IGT是有区别的。

2.可控硅过载的保护

可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件：

（1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；

（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5~2倍来取；

（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以。

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