发生软故障位置的漆包线特征阻抗会引起高频入射波的反射。s参数，即散射参数，是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数，可以很好的反映高频状态下电路的参数与工况，电路发生细微变化都能得到很好的反映，因此可以采用s参数来反映中间继电器的电路参数，并基于s参数分析来实现继电器线圈软故障的检测。在给中间继电器的线圈加入激励信号测试线圈的s参数，与正常的中间继电器相比，存在软故障的中间继电器的线圈的s参数的相频特性曲线中相角值为零时对应的频率会发生改变。本实施方式通过与正常中间继电器的s参数相角为零对应的频率进行对比分析，用来判断中间继电器的线圈是否存在软故障。更进一步，与正常中间继电器相比，河南电子线圈品牌，河南电子线圈品牌，软故障越严重的中间继电器，其电路参数变化越大，s参数中相角为零时的频率变化程度越大，可以根据这个频率的变化程度来反映中间继电器软故障的严重程度。其软故障的严重程度与其目标频率(s参数中相角为0时的个频率)与正常中间继电器目标频率(相角值为0时对应的频率)的距离成正比。本实施方式的一种中间继电器线圈软故障检测方法，包括：s1，河南电子线圈品牌、建立两组数据样本：a组和b组，a组为中间继电器线圈正常的散射参数，b组为中间继电器线圈软故障后。

我公司无锡东英电子有限公司成立于1992年，是一家定制和设计各种电线圈，电磁阀，传感器和喷射模型的制造商。作为电线圈制造商，我们的可制造性是**重要的优势之一。我公司拥有80多台自动或半自动绕线机，20多名专业工程师和220名熟练工人。我们每年生产5000万个电线圈和1000万个电磁阀或传感器组件。

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    电动车无刷电机控制器短路的工作模型解决方案：温升公式：Tj=Tc+P×Rth(jc)根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间工作温度越高短路保护时间就应该越短1短路模型及分析短路模型如图1所示，其中*画出了功率输出级的A、B两相(共三相)。Q1和Q3为A相MOSFET，Q2和Q4为B相MOSFET，所有功率MOSFET均为AOT430。L1为电机线圈，Rs为电流检测电阻。当控制器工作时，如电机短路，则会形成如图1中所示的流经Q2，Q3的短路电流，其电流值很大，达几百安培，MOSFET的瞬态温升很大，这种情况下应及时保护，否则会使MOSFET结点温度过高而使MOSFET损坏。短路时Q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的MOSFET能承受45us的大电流短路，而图2b中的MOSFET不能承受45us的大电流短路，当脉冲45us关断后，Vds回升，由于温度过高，*经过10us的时间MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500A，这是由于短路时MOSFET直接将电源正负极短路，回路阻抗是导线，PCB走线及MOSFET的Rds(on)之和，其数值很小，一般为几十毫欧至几百毫欧。2计算合理的保护时间在实际应用中，不同设计的控制器，其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同。

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