1GW无机组件厂因区位协同每年创收2000万元承接上一段，如果我们想办法把组件工厂设立在玻璃工厂旁，并且通过简易包装以及复用包装等方式降低包装材料的成本，那么保守计算：每平方米玻璃可节省2元钱的运费和包装材料的成本。

1GW组件工厂每年可生产340万块60版型组件（正面面积1.65㎡），如果采用双面玻璃封装的方式，则每块组件对应玻璃的面积为1.65×2=3.3㎡，也就是说1GW组件工厂一年需要消耗掉340万块×3.3=1122万平方米的玻璃，如果因区位协同每平方米玻璃节省2元钱，那么玻璃与组件的区位协同每年可以创收2244万元。目前国内主要的玻璃生产基地布局在安徽凤阳、安徽芜湖、广西北海等地区，这些玻璃工厂的区位布局所对应的电力，北京标准光伏组件原理、人力，北京标准光伏组件原理，北京标准光伏组件原理、土地等要素成本也较低，同时水路运输方便，组件出口的运费成本也相对低廉。也就是说，组件工厂与玻璃工厂的区位协同所带来的玻璃成本的降低并不会被其他要素成本吞噬。

3、光伏组件测试

1）组串绝缘电阻测试。进行光伏组串绝缘电阻测试前，应将光伏组件与其他电气设备的连接断开。光伏组串中载流部分对地（外壳）绝缘电阻应≥20MΩ。

2）相同测试条件下的相同光伏组串之间的开路电压偏差不宜大于2％，但比较大偏差不应超过5V。

在发电条件下使用钳形电流表对汇流箱内光伏组串的电流进行测试，相同测试条件下且辐照度≥700W／㎡时，相同光伏组串之间的电流偏差不应大于5％。

3）在太阳辐照度良好.且无阴影遮挡时，测量同一光伏组件外表面（组件正上方区域）在温度稳定后，温度差异应小于20℃。

4）光伏组串测试完成后，应按照下表的格式填写记录。

以 N 型硅片为基础，有望演化出多条 N 型电池发展方向，光伏电池片制备工艺向半导体升级。从技术路线发展来看，由于 P 型电池片的转换效率提升存在瓶颈，P 型电池片向 N 型电池片转型或势在必行。目前 N 型电池片技术主要包括 N-Pert、TopCon、异质结和 IBC 四大技术方向。光伏发电基于光生伏特原因，机理和半导体接近，随着电池制备技术的升级，光伏电池工艺逐步向半导体工艺升级。

单晶替代多晶推动光伏完成平价上网进程，从 P 型向 N 型跨越迎来下一次光伏技术**。从历史来看，得益于单晶硅片取代多晶硅片的大趋势，单晶硅片厂商过去几年的产能和销量增长远高于行业新增装机增长。从当前产能布局来看，单晶产品渗透率或即将达到瓶颈，后续单晶硅片渗透率提升所带来的超额收益或将减少。但是随着N 型硅片技术路线的逐步确认，N 型产品渗透率提升或将带来下一轮新的超额收益。积极布局 N 型硅片，并实现 N 型硅片的降本增效或是当前硅片厂商的当务之急。

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