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北京玻璃光伏组件销售 真诚推荐 无锡萨科特新能源科技供应

信息介绍 / Information introduction

根据“太阳能之父”Martin Green教授和美国国家可再生能源实验室等7家**实验室联合编撰的《太阳能电池效率记录表》中规定,目前受到国际认可的检测方法,其关键点在于:1、采用稳态法的检测;2、计算面积时,需要根据光伏组件的限定辐照面积来进行测算,北京玻璃光伏组件销售,限定辐照面积包括组件的有效面积和死区面积。只有通过国际公认的严格标准才能客观体现出钙钛矿技术的真正潜力。


此外,对于钙钛矿的质疑还来自于铅的问题,北京玻璃光伏组件销售。此前有研究认为,钙钛矿光伏组件在使用过程中因不可抗拒的自然因素(飞石、冰雹、风、雪、火)而导致破损后,铅元素有可能发生泄漏并对周围环境造成污染。



经**测算,市面上60片规格的晶硅组件,每块含铅量在16克至18克左右,而同样尺寸的钙钛矿组件,北京玻璃光伏组件销售,每块含铅*为2克。纤纳光电方面也告诉光伏們,钙钛矿中的铅是以铅的卤化物形式存在,所以它的物理化学特性十分稳定,并且可以采用多种方式,在组件破碎后阻止金属离子扩散到环境中。



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二.TopCon:技术较为成熟,可在现有产线上升级改造,可延续存量产能使用寿命

TopCon 电池:基于N 型硅衬底,前表面采用叠层膜钝化工艺,背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构,可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构的应用,两者形成接触钝化结构,可以大幅提升 N 型电池片的 VOC 和转换效率。


另外根据《中来股份 N 型单晶双面 TopCon 技术与产业先进性介绍》,TopCon 电池片具备以下技术特点:

1) 离子注入掺杂多晶硅钝化技术

通过离子注入进行掺杂,可以控制掺杂原子的剂量和在非晶硅中的分布,避免常规扩散掺杂长时间的高温过程对隧穿氧化层及硅片寿命的损伤;


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    三、异质结:技术逐步成熟,**积极布局异质结(本征薄膜异质结,亦成为HJTJ),通常以n型晶体硅作衬底,宽带隙的非晶硅做发射极,具备双面对称结构。电池正表面,空穴通过高掺杂的p型非晶硅,构成空穴传输层;电池背面,电子通过高掺杂的n型非晶硅,构成电子传输层。光生载流子在吸收材料中产生,只能从电池的一个表面流出,实现两者的分离。异质结电池独特的非掺杂(本征)氢化非晶硅薄层异质结结构,改善了对硅片表面的钝化效果,降低了表面复合损失,提高了电池效率。对比PERC,异质结电池技术优势明显。异质结电池组件同PERC相比,主要采用N型硅片,允许薄硅片的使用,同时电池背面可以利用地面的反射光发电,提高了发电量。N型异质结电池光致衰减效应首年在,后续每十年减少5%,优于perc电池片。另外异质结电池温度稳定性好,温度系数*为°C,即使在户外高温度条件下工作,仍能表现出很好的输出特性;在双面率方面,异质结电池片双面率可以做到90%以上,也优于PERC电池片。

高转换效率有望持续降低度电成本,提高制造业**竞争力。光伏发电**终以实现平价上网为目标,产业降本是必经之路。成本优势的主要来源包括:

1)设备或辅材、能源等设备的价格优势:主要依赖于设备国产化进程、厂商布局选址 和产业化进程中经验的积累和沉淀;

2)规模效用所产生的成本优势:主要得益于产能的有序扩张和产能利用率的稳定;

3)技术革新从而提高光电转换效率而带来的单瓦成本的降低:主要得益于新技术的研 发和产业化生产,提高效率的同时减少辅材的用量。

其中转换效率的提升是制造业降本的**,也是主要竞争力。


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1、转化效率高

根据 NREL 2019 年 11 月 6 日发布的实验室比较好电池效率图来看,日本Kaneka 将异质结电池光电转换率提升至 26.7%(实验室)。是当前晶硅技术路线当中转换效率较为**的技术。高实验室转换效率为异质结电池未来提供较大提升空间。



2、生产环节简单

异质结电池片的生产过程相较 Perc 减少了扩散、刻蚀及烧结 3 个步骤,**工艺为非晶硅薄膜沉积,PECVD 中非晶硅的生长可以看作是含硅的基团在衬底表面上的扩散与吸附,包括本征非晶硅的沉积与钝化以形成高质量的异质结面钝化层、掺杂非晶硅沉积(N 型)以形成发射极和背表面场、TCO 沉积以提供高导电率的电荷输运通道。异质结整个生产工艺主要为制绒、非晶硅薄膜沉积、丝网印刷、分选四个步骤。



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2.2 产线可在 perc 产线上升级,设备投资额下降速度快

部分生产设备和现有 perc+se 产线兼容,现有产线可升级改造至 TopCon 产能。TopCon 生产流程分为 9 步,分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD 沉积氧化铝、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和 perc+se 产线共用,只需要额外增加硼扩散、LPCVD 沉积(隧道结制备环节)、离子注入(或者扩散装备)和去绕镀清洗环节设备,便可以实现设备的升级。目前**厂商 perc 产线均留有一定设备空间,有助于产线改造升级。

设备国产化加速,产能投资额迅速下降。随着近年来 TopCon 设备国产化的加速,国内厂商陆续完成 LPCVD 等**设备的国产化。TopCon 产能 1GW 投资成本从原有的 5~6亿元降至目前 2~2.5 亿元/GW 左右,和当前 perc 产线设备投资成本(1.8~2 亿元/GW )相比,成本差异大幅降低。设备投资额的大幅下降有望推动 TopCon 技术加速发展。


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